[发明专利]一种电子器件及其形成方法

权利要求书

1.一种电子器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供第一晶圆和第二晶圆，刻蚀所述第一晶圆以在第一晶圆的接收区中形成接收端封盖腔，并在所述第一晶圆的发射区中依次形成第一电极、压电层、第二电极和钝化层以形成发射端谐振结构，以及刻蚀所述第二晶圆以在第二晶圆的发射区中形成发射端封盖腔，并在所述第二晶圆的接收区中依次形成第一电极、压电层、第二电极和钝化层以形成接收端谐振结构；以及，

键合所述第一晶圆和所述第二晶圆，以使所述第一晶圆中的接收端封盖腔封盖所述第二晶圆上的接收端谐振结构构成接收端滤波器，所述第二晶圆中的发射端封盖腔封盖所述第一晶圆上的发射端谐振结构构成发射端滤波器；

其中，所述第一晶圆的发射区中还形成有空腔，所述发射端谐振结构形成在空腔的上方，以及所述第一晶圆中的空腔和接收端封盖腔利用同一光罩在同一工艺中同时形成；和/或，所述第二晶圆的接收区中还形成有空腔，所述接收端谐振结构形成在空腔的上方，以及所述第二晶圆中的空腔和发射端封盖腔利用同一光罩在同一工艺中同时形成。

2.如权利要求1所述的电子器件的形成方法，其特征在于，所述第一晶圆的发射区中还形成有空腔，所述发射端滤波器包括沿着第一晶圆指向第二晶圆的方向顺序排布的空腔、发射端谐振结构和发射端封盖腔；

以及，所述第二晶圆的接收区中还形成有空腔，所述接收端滤波器包括沿着第二晶圆指向第一晶圆的方向顺序排布的空腔、接收端谐振结构和接收端封盖腔，使得所述接收端滤波器相对于所述发射端滤波器倒置。

3.如权利要求1所述的电子器件的形成方法，其特征在于，在键合所述第一晶圆和所述第二晶圆之后，所述接收端谐振结构中的膜层排布顺序相对于所述发射端谐振结构中的膜层排布顺序倒置。

4.如权利要求1所述的电子器件的形成方法，其特征在于，所述发射端谐振结构的形成方法还包括：基于第一刻蚀参数侧向刻蚀发射区中的上电极的端部，以使钝化层对应的端部悬空而构成悬空部；

所述接收端谐振结构的形成方法还包括：基于第二刻蚀参数侧向刻蚀接收区中的上电极的端部，以使钝化层对应的端部悬空而构成悬空部，其中所述第二刻蚀参数不同于所述第一刻蚀参数。

5.如权利要求1所述的电子器件的形成方法，其特征在于，所述第一晶圆的发射区中还形成有发射端连接件，所述发射端连接件位于所述发射端谐振结构的侧边并与所述发射端谐振结构电性连接，所述第二晶圆的发射区中还形成有发射端键合柱，所述发射端键合柱与所述发射端连接件位置对应，以及在键合所述第一晶圆和所述第二晶圆时，所述发射端键合柱和所述发射端连接件键合连接以形成发射端引出件；和/或，

所述第二晶圆的接收区中还形成有接收端连接件，所述接收端连接件位于所述接收端谐振结构的侧边并与所述接收端谐振结构电性连接，所述第一晶圆的接收区中还形成有接收端键合柱，所述接收端键合柱与所述接收端连接件位置对应，以及在键合所述第一晶圆和所述第二晶圆时，所述接收端键合柱和所述接收端连接件键合连接以形成接收端引出件。

6.如权利要求5所述的电子器件的形成方法，其特征在于，在键合所述第一晶圆和所述第二晶圆之后，还包括：

减薄所述第一晶圆或第二晶圆，并刻蚀减薄后的晶圆以形成多个接触孔，所述多个接触孔暴露出所述发射端引出件和所述接收端引出件；

在所述接触孔中形成导电插塞，并在对应的晶圆上形成接触垫，所述接触垫覆盖所述导电插塞以和所述导电插塞电性连接；以及，

在所述接触垫上形成焊球。

7.如权利要求1所述的电子器件的形成方法，其特征在于，在所述第一晶圆上还形成有第一键合环，所述第一键合环将所述发射区和所述接收区环绕在内，以及在所述第二晶圆上还形成有第二键合环，所述第二键合环和所述第一键合环的位置对应；

在键合所述第一晶圆和所述第二晶圆时，所述第一键合环和所述第二键合环键合连接。