[发明专利]MEMS器件的制造方法及MEMS器件有效
| 申请号： | 202110072164.5 | 申请日： | 2021-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN112408312B | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 徐希锐;魏丹珠;鲁列微 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路制造（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MEMS器件的制造方法及MEMS器件，其板极引出部的至少一个接触孔外围的上极板材料层的上表面上形成有环形阻挡结构，所述环形阻挡结构包括凸起和/或凹槽，相应的接触焊盘填充于所述接触孔中并延伸到所述环形阻挡结构上，且至少覆盖环形阻挡结构的凸起远离接触孔的一侧的侧壁或者至少覆盖环形阻挡结构的凹槽靠近所述接触孔的一侧的侧壁，由此一方面利用环形阻挡结构增大了接触焊盘的边缘与下方膜层的接触面积，另一方面利用环形阻挡结构使得接触焊盘的边缘起伏不平，因此，可以使得接触焊盘能够阻挡湿法刻蚀液渗入到接触孔底部，防止接触孔底部的材料被电化学腐蚀，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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