[发明专利]非极性GaN基微型发光二极管及制备方法在审
| 申请号： | 202110060273.5 | 申请日： | 2021-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN112736168A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 许晟瑞;张怡;许文强;张金风;彭利萍;张雅超;任泽阳;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种非极性GaN基微型发光二极管及其制备方法，主要解决现有极性GaN基微型发光二极管中由于极化效应的影响，导致发光效率不高的问题。其自下而上包括：衬底，高温AlN成核层，n型GaN层，In |
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| 搜索关键词： | 极性 gan 微型 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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