[发明专利]一种基于固态电解质的氧离子源、离子注入机及其在制备SOI晶片中的应用在审
| 申请号： | 202110059971.3 | 申请日： | 2021-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN112802728A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 周霖;王洪武;黄德智;代冰;冯帆;胡碧波;孙家宽 | 申请（专利权）人： | 万华化学集团电子材料有限公司;万华化学集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/08 | 分类号： | H01J37/08;H01J37/317;H01L21/265;H01L21/762 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 264006 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于固态电解质的氧离子源、离子注入机及其在制备SOI晶片中的应用，所述固态电解质材料采用三价稀土元素掺杂的氧化锆或者氧化铈粉体通过注塑成型的方式加工而成，基于所述固态电解质的氧离子源在吸出电极处即可获得高纯度的负氧离子束。基于本发明离子源的离子注入机无需磁分析器对引出离子进一步筛选，可以摆脱磁分析器的使用限制，使得整个离子注入机在设计上得到极大地简化，能耗大大地降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 固态 电解质 离子源 离子 注入 及其 制备 soi 晶片 中的 应用 | ||
【主权项】：
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