[发明专利]SiOCN薄膜的形成在审
| 申请号： | 202110047963.7 | 申请日： | 2021-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN113140444A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | V·沙尔玛 | 申请（专利权）人： | ASMIP控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 张全信 |
| 地址： | 荷兰，*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了在反应空间中的衬底上沉积含硅薄膜的方法。所述方法可以包括包含至少一个沉积循环的气相沉积工艺，所述至少一个沉积循环包括使衬底与包含卤代硅烷的硅前体和包含酰基卤的第二种反应物依序接触。在一些实施例中，沉积Si(O,C,N)薄膜且通过调节沉积条件能够调节膜中的氮和碳浓度。 | ||
| 搜索关键词： | siocn 薄膜 形成 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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