[发明专利]SiOCN薄膜的形成

权利要求书

1.一种利用包含至少一个沉积循环的循环气相沉积工艺在反应空间中的衬底上形成含硅薄膜的方法，所述至少一个沉积循环包含：

使所述衬底与包含卤代硅烷的气相硅前体接触；

使所述衬底与胺反应物接触；以及

使所述衬底与酰基卤或羧酸反应物接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个沉积循环按次序包含：

使所述衬底与所述酰基卤或羧酸反应物接触；

使所述衬底与所述胺反应物接触；以及

使所述衬底与包含卤代硅烷的所述气相硅前体接触。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个沉积循环按次序包含：

使所述衬底与包含卤代硅烷的所述气相硅前体接触；

使所述衬底与所述胺反应物接触；以及

使所述衬底与所述酰基卤或羧酸反应物接触。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个沉积循环按次序包含：

使所述衬底与包含卤代硅烷的所述气相硅前体接触；

使所述衬底与所述酰基卤或羧酸反应物接触；以及

使所述衬底与所述胺反应物接触。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个沉积循环另外包含使所述衬底与第二种胺反应物接触。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅反应物具有式Si_nX_2n+2，其中X是卤素并且n是1到4的整数。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅反应物包含烷基卤代硅烷或八氯三硅烷。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述酰基卤反应物包含反丁烯二酰氯、丙二酰氯、丁二酰氯、均苯三甲酰氯、戊二酰氯、己二酰二氯或邻苯二甲酰氯。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述羧酸反应物包含1,3二酸、己二酸或对苯二甲酸。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述胺反应物包含乙二胺、苯二胺、丁二胺、二氨基己烷、二氨基丙烷，或丙三胺。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个沉积循环另外包含使所述衬底与氢反应物接触。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述至少一个沉积循环按次序包含：

使所述衬底与包含卤代硅烷的所述气相硅前体接触；

使所述衬底与所述氢反应物接触；

使所述衬底与所述酰基卤或羧酸反应物接触；以及

使所述衬底与所述胺反应物接触。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述氢反应物包含NH₃、N₂H₂、任何烷基取代的肼或氮族元素氢化物。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个沉积循环包含使所述衬底与所述硅前体、所述胺反应物和所述酰基卤反应物在低于300℃的温度下交替并且依序接触。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述含硅薄膜包含约3至约30at％的氮和约3至约30at％的碳。

16.根据权利要求14所述的方法，其中所述含硅薄膜在稀HF中具有大于约30纳米/分钟的湿式蚀刻速率。

17.根据权利要求14所述的方法，其中所述含硅薄膜具有小于约5的k值。