[发明专利]一种碳化硅单晶高温退火的方法及装置在审
| 申请号： | 202110044329.8 | 申请日： | 2021-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN112553694A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 毛开礼;魏汝省;赵丽霞;戴鑫;李天;范云;王晨豪;李斌;靳霄曦 | 申请（专利权）人： | 山西烁科晶体有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙) 14109 | 代理人： | 崔雪花;冷锦超 |
| 地址： | 030006 山西省太*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明提出一种碳化硅单晶高温退火的方法及装置，属于单晶硅生产加工技术领域；高温退火装置，包括坩埚和包围桶，包围桶内放置有待高温退火的碳化硅晶体，包围桶置于坩埚内，包围桶与坩埚之间充满碳化硅粉体，坩埚置于感应加热炉内，包围桶设置有透气孔隙；本发明将碳化硅粉料与碳化硅晶体有效隔离，在碳化硅晶体周围形成饱和气氛，不仅可以有效防止碳化硅晶体或晶片表面蒸发，同时隔离粉料与碳化硅晶体的相关作用，便利了晶体或晶片退火的操作，解决大尺寸SiC晶体、晶片应力大的难题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 高温 退火 方法 装置 | ||
【主权项】：
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