[发明专利]一种碳化硅单晶高温退火的方法及装置在审
| 申请号： | 202110044329.8 | 申请日： | 2021-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN112553694A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 毛开礼;魏汝省;赵丽霞;戴鑫;李天;范云;王晨豪;李斌;靳霄曦 | 申请（专利权）人： | 山西烁科晶体有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙) 14109 | 代理人： | 崔雪花;冷锦超 |
| 地址： | 030006 山西省太*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 高温 退火 方法 装置 | ||
1.一种碳化硅单晶高温退火的方法，其特征在于，包括以下步骤：
a）将待高温退火的碳化硅晶体置于具有透气作用的包围桶内；
b）将所述包围桶置于坩埚内，所述包围桶和坩埚之间充满碳化硅粉料；
c）将坩埚密闭之后，置于高温退火装置中进行高温退火处理。
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶高温退火的方法，其特征在于，将多个包围桶堆叠之后置于坩埚内。
3.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶高温退火的方法，其特征在于，所述包围桶底部设置有石墨纸，所述待高温退火的碳化硅晶体放置在石墨纸上。
4.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶高温退火的方法，其特征在于，所述碳化硅粉料的粒径在0.1-2mm。
5.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶高温退火的方法，其特征在于，所述包围桶为设置有透气孔的碳纤维桶或是由多孔石墨材料制成。
6.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶高温退火的方法，其特征在于，所述高温退火处理是利用感应加热将坩埚加热至2000-2200℃，在高温退火装置中充入惰性气体，压力控制在500-800Torr，维持时间15-30h，后降温至室温。
7.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶高温退火的方法，其特征在于，所述待高温退火的碳化硅晶体为4-8英寸的碳化硅单晶或晶片。
8.一种用于如权利要求1-7任意一项所述退火方法的碳化硅单晶高温退火装置，包括感应加热炉，其特征在于，还包括坩埚和具有透气作用的包围桶，所述包围桶内放置有待高温退火的碳化硅晶体，所述包围桶置于坩埚内，所述包围桶与坩埚之间充满碳化硅粉料，所述坩埚置于感应加热炉内。
9.根据权利要求8所述的碳化硅单晶高温退火装置，其特征在于，所述坩埚内垂直叠放多个包围桶。
10.根据权利要求8或9所述的碳化硅单晶高温退火装置，其特征在于，所述包围桶底部放置有石墨纸，所述待高温退火的碳化硅晶体防止在石墨纸上。
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