[发明专利]铁电场效应晶体管和形成半导体结构的方法在审
| 申请号： | 202110035032.5 | 申请日： | 2021-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN113054023A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 乔治奥斯·韦理安尼堤斯;马可·范·达尔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 铁电场效应晶体管包括半导体衬底，该半导体衬底包含在源极区域和漏极区域之间延伸的半导体沟道。铁电栅极介电层设置在半导体沟道上方，并且包括具有电荷俘获带的铁电材料，该电荷俘获带包括由铁电材料的界面陷阱生成的电子态。栅电极位于铁电栅极介电层上，并且配置为通过从栅极偏置电路分别施加导通电压和截止电压来为铁电场效应晶体管提供导通状态和截止状态。导通状态期间的电荷俘获带的能级与半导体沟道的少数电荷载流子的能级偏移。在铁电场效应晶体管的操作期间避免铁电材料中的电荷俘获，从而增大铁电场效应晶体管的耐久性。本发明的实施例还涉及形成半导体结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 电场 效应 晶体管 形成 半导体 结构 方法 | ||
【主权项】：
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