[发明专利]存储器件在审
| 申请号： | 202110022072.6 | 申请日： | 2021-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN113451322A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 金江旻;高秉贤;权容真;申重植;尹健郁 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11565 | 分类号： | H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 程丹辰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种存储器件，其包括：衬底；在衬底上的下导电层；堆叠结构，包括交替地堆叠在下导电层上的栅极层和层间绝缘层；在沟道孔中的沟道结构，该沟道孔在垂直方向上穿透堆叠结构；以及在公共源极线沟槽中的公共源极线结构，该公共源极线沟槽在垂直方向上穿透下导电层和堆叠结构。公共源极线结构包括在公共源极线沟槽的侧表面上的侧绝缘层、在公共源极线沟槽的中央部分处的中央绝缘层、在侧绝缘层与中央绝缘层之间的居间导电层和在公共源极线沟槽的上部处的上导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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