[发明专利]存储器件

说明书

公开了一种存储器件，其包括：衬底；在衬底上的下导电层；堆叠结构，包括交替地堆叠在下导电层上的栅极层和层间绝缘层；在沟道孔中的沟道结构，该沟道孔在垂直方向上穿透堆叠结构；以及在公共源极线沟槽中的公共源极线结构，该公共源极线沟槽在垂直方向上穿透下导电层和堆叠结构。公共源极线结构包括在公共源极线沟槽的侧表面上的侧绝缘层、在公共源极线沟槽的中央部分处的中央绝缘层、在侧绝缘层与中央绝缘层之间的居间导电层和在公共源极线沟槽的上部处的上导电层。

技术领域

本公开涉及存储器件，更具体地，涉及垂直非易失性存储器件。

背景技术

伴随着对多功能、高性能和小型化的信息通信装置的持续需求，需要具有增大的容量和集成的存储器件。根据这种趋势，开发了垂直非易失性存储器件，其包括堆叠在衬底上的多个栅极层且沟道结构在垂直方向上穿透所述多个栅极层。在这样的垂直非易失性存储器件中，可以通过增加堆叠在衬底上的栅极层的数量来增大存储容量。因此，通过使用垂直非易失性存储器件，可以实现增大的存储容量和集成。

发明内容

本发明构思的实施方式提供了具有减少的翘曲和减少的噪声的高度集成的存储器件。

本发明构思的实施方式提供了一种存储器件，其包括：衬底；在衬底上的下导电层；在下导电层上的堆叠结构，该堆叠结构包括交替地堆叠在下导电层上的栅极层和层间绝缘层；在沟道孔中的沟道结构，该沟道孔在垂直于衬底的上表面的垂直方向上穿透堆叠结构；以及在公共源极线沟槽中的公共源极线结构，该公共源极线沟槽在垂直方向上穿透下导电层和堆叠结构。公共源极线结构包括在公共源极线沟槽的侧表面上的侧绝缘层、在公共源极线沟槽的中央部分处的中央绝缘层、在侧绝缘层与中央绝缘层之间的居间导电层和在公共源极线沟槽的上部处的上导电层。

本发明构思的实施方式还提供了一种存储器件，其包括：衬底；在衬底上的下导电层；在下导电层上的堆叠结构，该堆叠结构包括交替地堆叠在下导电层上的栅极层和居间绝缘层；在沟道孔内的沟道结构，该沟道孔在垂直于衬底的上表面的垂直方向上穿透下导电层和堆叠结构；以及在公共源极线沟槽中的公共源极线结构，该公共源极线沟槽在垂直方向上穿透堆叠结构。公共源极线结构包括在公共源极线沟槽的侧表面上的侧绝缘层、在公共源极线沟槽的中央部分处的中央绝缘层、在侧绝缘层与中央绝缘层之间的居间导电层和在公共源极线沟槽的上部处的上导电层。居间导电层接触下导电层。

本发明构思的实施方式还提供了一种存储器件，其包括下结构和在下结构上的上结构。下结构包括衬底、在衬底上的外围电路和连接到外围电路的第一焊盘。上结构包括：堆叠结构，包括在垂直于衬底的上表面的垂直方向上交替地堆叠的栅极层和居间绝缘层；沟道结构，在垂直方向上穿透堆叠结构；公共源极线结构，在垂直方向上穿透堆叠结构；以及第二焊盘，连接到公共源极线结构。公共源极线结构包括中央绝缘层、在中央绝缘层的侧表面上的居间导电层、在居间导电层的侧表面上的侧绝缘层和在中央绝缘层的上端上的上导电层。上结构接触下结构，并且第二焊盘接触第一焊盘。

本发明构思的实施方式还提供了一种存储器件，其包括：衬底；在衬底上的下导电层；在下导电层上的堆叠结构，该堆叠结构包括交替地堆叠在下导电层上的栅极层和层间绝缘层；在沟道孔中的沟道结构，该沟道孔在垂直于衬底的上表面的垂直方向上穿透堆叠结构，该沟道结构延伸到衬底中；以及在公共源极线沟槽中的公共源极线结构，该公共源极线沟槽在垂直方向上穿透堆叠结构。公共源极线结构包括在公共源极线沟槽的侧表面上的侧绝缘层、在公共源极线沟槽的中央部分处的中央绝缘层、在侧绝缘层与中央绝缘层之间的居间导电层和在公共源极线沟槽的上部处的上导电层。居间导电层电接触衬底。

附图说明

本发明构思的实施方式将由以下结合附图的详细描述被更清楚地理解，附图中：

图1示出了根据本发明构思的实施方式的存储器件的示意性框图；

图2示出了根据本发明构思的实施方式的包括在存储器件的存储单元阵列中的存储块之一的示意性电路图；