[发明专利]图像传感器及其制造方法在审
申请号: | 202110020787.8 | 申请日: | 2021-01-07 |
公开(公告)号: | CN113206111A | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 金相勋;李宽熙 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李敬文 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种具有改进性能的图像传感器及其制造方法。图像传感器包括传感器阵列区及设置在传感器阵列区外部的焊盘区。图像传感器包括:第一衬底,包括光入射的第一表面及与第一表面相对的第二表面;第一衬底中传感器阵列区处的第一隔离膜,限定多个单位像素;第二衬底,包括面向第一衬底的第二表面的第三表面,以及与第三表面相对的第四表面;配线结构,在第二表面和第三表面之间,包括层间绝缘膜和层间绝缘膜中的配线;焊盘区中的焊盘沟槽,穿过第一衬底暴露配线;焊盘沟槽中的接合端子,连接到配线;以及第一衬底中焊盘区处的第二隔离膜,第二隔离膜邻近焊盘沟槽,其中第一隔离膜和第二隔离膜中每一个的宽度沿从第二表面到第一表面的方向减小。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的