[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110018722.X | 申请日： | 2021-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN113054021A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 王祥保 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 朱亦林 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及半导体器件及其制造方法。在栅极替换工艺中，形成虚设栅极和相邻结构；在栅极替换工艺中，形成虚设栅极和相邻结构，例如源极/漏极区域。使用定向蚀刻来至少部分地去除虚设栅极，以去除一些但并非全部的虚设栅极以形成沟槽。虚设栅极的一部分保留并保护相邻结构。然后可以在沟槽中形成栅极电极。可以采用两步骤工艺，首先使用各向同性蚀刻，然后进行定向蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110018722.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
