[发明专利]半导体器件及方法在审
| 申请号： | 202110016446.3 | 申请日： | 2021-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN113270544A | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 彭泰彦;尹煜峰;张安胜;蔡瀚霆;傅强 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 朱亦林 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开涉及半导体器件及方法。在实施例中，一种器件包括：磁阻随机存取存储器(MRAM)阵列，包括以行和列布置的MRAM单元，其中，列中的第一列包括：第一底部电极，沿着第一列布置；第一磁性隧道结(MTJ)堆叠，位于第一底部电极之上；第一共享电极，位于每个第一MTJ堆叠之上；第二底部电极，沿着第一列布置；第二MTJ堆叠，位于第二底部电极之上；第二共享电极，位于每个第二MTJ堆叠之上；位线，电连接到第一共享电极和第二共享电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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