[发明专利]碳化硅陶瓷连接方法及碳化硅包壳在审

专利信息
申请号: 202110014203.6 申请日: 2021-01-06
公开(公告)号: CN112759410A 公开(公告)日: 2021-05-07
发明(设计)人: 薛佳祥;廖业宏;刘彤;任啟森;翟剑晗;马海滨 申请(专利权)人: 中广核研究院有限公司;岭东核电有限公司;中国广核集团有限公司;中国广核电力股份有限公司
主分类号: C04B37/00 分类号: C04B37/00
代理公司: 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙) 44314 代理人: 林俭良;王少虹
地址: 518031 广东省深圳市福田区上步中路*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种碳化硅陶瓷连接方法及碳化硅包壳,碳化硅陶瓷连接方法包括以下步骤:S1、以液态的聚碳硅烷作为前驱体,加入固化剂进行固化处理;S2、将固化后的聚碳硅烷进行加热预处理,形成前驱体粉体;S3、将所述前驱体粉体和有机溶剂混合制成浆料;S4、将所述浆料涂抹于相适配的SiC包壳管和端塞之间,形成三明治连接结构;S5、将所述三明治连接结构进行高温固化裂解处理,使所述浆料形成紧密连接在所述SiC包壳管和端塞之间的连接层。本发明的碳化硅陶瓷连接方法,实现SiC包壳与端塞在低温(≤1500℃)、无压下高强连接,无需加入填料,减小中间连接层气孔缺陷,提高形成的接头气密性;连接工艺简单,连接工艺对设备要求低,降低成本。
搜索关键词: 碳化硅 陶瓷 连接 方法
【主权项】:
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