[发明专利]一种电解质突触晶体管及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202110004809.1 | 申请日： | 2021-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN112820780B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 鲁统部;姚镔玮;陈旭东 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 庆之 |
| 地址： | 300384 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电解质突触晶体管及其制备方法和应用，包括导电沟道和位于所述导电沟道上的石墨炔层，所述石墨炔层上覆盖有电解质。本发明在沟道和电解质之间设置石墨炔层作为浮栅存储层，电解质作为栅极，可阻隔固电解质中的离子与导电沟道接触，避免了离子在沟道中频繁插入/脱离，从而对沟道的晶格结构进行有效保护，使器件具有很好的循环稳定性。同时，本发明的电解质突触晶体管具有非易失性特性，成功模拟了各种具有代表性的突触特性，且在弯曲测试中表现出优异的稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电解质 突触 晶体管 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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