[发明专利]一种改善刻蚀均匀性的双挡板装置在审
| 申请号： | 202110002167.1 | 申请日： | 2021-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN114724913A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 张瑶瑶;刘小波;胡冬冬;张怀东;刘海洋;李娜;郭颂;李晓磊;许开东 | 申请（专利权）人： | 江苏鲁汶仪器有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J37/08 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 石艳红 |
| 地址： | 221300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善刻蚀均匀性的双挡板装置，包括均安装在刻蚀反应腔内的第一挡板和第二挡板；第一挡板为整圆板，能在第一挡板驱动装置的作用下，对离子源产生的离子束进行全遮挡；晶圆采用两次刻蚀，一次刻蚀为无挡板遮挡下的刻蚀，二次刻蚀为采用第二挡板遮挡的刻蚀；第二挡板的结构根据刻蚀工况进行选择，能在第二挡板驱动装置的作用下，对一次刻蚀时晶圆表面刻蚀速率快的区域进行遮挡，使得晶圆表面刻蚀速率保持一致。刻蚀工况包括低能工况、中能工况和高能工况。本发明通过两块挡板的配合刻蚀，从而提高晶圆成品的整体刻蚀均匀性，增加晶圆的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 刻蚀 均匀 挡板 装置 | ||
【主权项】：
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