[发明专利]一种改善刻蚀均匀性的双挡板装置

权利要求书

1.一种改善刻蚀均匀性的双挡板装置，其特征在于：包括均安装在刻蚀反应腔内的第一挡板和第二挡板；

第一挡板为整圆板，能在第一挡板驱动装置的作用下，对离子源产生的离子束进行全遮挡；

晶圆采用两次刻蚀，一次刻蚀为无挡板遮挡下的刻蚀，二次刻蚀为采用第二挡板遮挡的刻蚀；

第二挡板的结构根据刻蚀工况进行选择，能在第二挡板驱动装置的作用下，对一次刻蚀时晶圆表面刻蚀速率快的区域进行遮挡，使得晶圆表面刻蚀速率保持一致。

2.根据权利要求1所述的改善刻蚀均匀性的双挡板装置，其特征在于：刻蚀工况包括低能工况、中能工况和高能工况。

3.根据权利要求2所述的改善刻蚀均匀性的双挡板装置，其特征在于：当刻蚀工况为低能工况时，第二挡板包括中心圆板和沿中心圆板周向均匀布设的若干块扇形块一；其中，中心圆板用于遮挡晶圆表面刻蚀速率快的低能中心区域。

4.根据权利要求3所述的改善刻蚀均匀性的双挡板装置，其特征在于：相邻两个扇形块一之间形成扇形间隙一，假设在半径r处，扇形块一的弧长为L1，扇形间隙一的弧长为L2，则L1＜L2，且L1与L2的比值，沿径向从内至外逐渐减小。

5.根据权利要求3所述的改善刻蚀均匀性的双挡板装置，其特征在于：第二挡块还包括同心套设在中心圆板外周的连接环一，若干块扇形块一沿周向均匀设置在中心圆板和连接环一之间。

6.根据权利要求1所述的改善刻蚀均匀性的双挡板装置，其特征在于：当刻蚀工况为中能工况时，第二挡板包括连接环二和若干块扇形块二；若干块扇形块二沿周向均匀布设在连接环二的内侧，每块扇形块二直接或通过连接筋与连接环二的内壁面相连接；相邻两块扇形块二之间形成扇形间隙二。

7.根据权利要求6所述的改善刻蚀均匀性的双挡板装置，其特征在于：假设在半径r处，扇形块二的弧长为L3，扇形间隙二的弧长为L4，则L3＞L4。

8.根据权利要求6所述的改善刻蚀均匀性的双挡板装置，其特征在于：每个扇形块二的拐角均为圆弧倒角。

9.根据权利要求1所述的改善刻蚀均匀性的双挡板装置，其特征在于：当刻蚀工况为高能工况时，第二挡板为圆环板一。

10.根据权利要求1所述的改善刻蚀均匀性的双挡板装置，其特征在于：当刻蚀工况为高能工况时，第二挡板包括圆环板二和沿圆环板二周向均匀布设的倒扇形间隙，倒扇形间隙的弧长大端朝向圆环板二的圆形空腔。