[发明专利]一种大尺寸LED芯片及其制作方法有效
申请号: | 202110001890.8 | 申请日: | 2021-01-04 |
公开(公告)号: | CN112652686B | 公开(公告)日: | 2022-01-28 |
发明(设计)人: | 林志伟;陈凯轩;蔡建九;曲晓东;赵斌 | 申请(专利权)人: | 厦门乾照光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14;H01L33/36;H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 361101 福建省厦门市厦门火*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明提供了一种大尺寸LED芯片及其制作方法,通过在所述外延叠层背离所述衬底的一侧表面设置隧穿结与若干个电流扩展复合层,其中,所述电流扩展复合层层叠于所述隧穿结背离所述外延叠层的一侧表面,且各所述电流扩展复合层包括沿第一方向依次堆叠的第二N型半导体层和欧姆接触层;所述电流扩展复合层具有第一通孔,所述第一通孔从顶层的欧姆接触层贯穿至部分所述第一N型半导体层,且裸露所述第一N型半导体层的部分表面;使所述P型半导体层与最底层的第二N型半导体层之间形成隧穿效应。从而实现通过外延材料层(即N型半导体层)替代传统结构的透明导电层,在保证其电流扩展效果的同时,可较好地实现稳定可靠的芯片结构。 | ||
搜索关键词: | 一种 尺寸 led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
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