[发明专利]非易失性双列直插式存储器模块的命令重放有效

专利信息
申请号: 202080090840.5 申请日: 2020-12-10
公开(公告)号: CN114902197B 公开(公告)日: 2023-06-13
发明(设计)人: 王静;詹姆斯·R·马格罗;凯达尔纳特·巴拉里斯南 申请(专利权)人: 超威半导体公司
主分类号: G06F13/16 分类号: G06F13/16;G06F3/06;G06F11/14
代理公司: 上海胜康律师事务所 31263 代理人: 李献忠;张华
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 将存储器访问命令置于存储器接口队列中并将其从所述存储器接口队列传输到异构存储器通道,所述异构存储器通道耦合到易失性双列直插式存储器模块(DIMM)和非易失性DIMM。将置于所述存储器接口队列中的选定的存储器访问命令存储在重放队列中。置于所述存储器接口队列中的非易失性读在非易失性命令队列(NV队列)中。方法基于通过所述异构存储器通道接收的信息来检测到已经发生需要恢复序列的错误。响应于所述错误,所述方法发起所述恢复序列,所述恢复序列包括(i)传输存储在所述重放队列中的选定的存储器访问命令和(ii)传输存储在所述NV队列中的非易失性读。
搜索关键词: 非易失性双列直插式 存储器 模块 命令 重放
【主权项】:
暂无信息
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