[发明专利]用于选择性地去除硅衬底的单侧发射极层的方法和湿法工作台

摘要

本申请描述了一种用于选择性地去除硅衬底(3)的单侧(13)发射极层(5)的方法和用于实施该方法的湿法工作台(1)。其中，最初硅衬底(3)在两个相对面(13、15)均包括发射极层(5)，并且在两个相对面均在发射极层(5)上覆盖有硅酸盐玻璃层(7)。所述方法至少包括以下两个步骤：‑通过将仅第一侧(13)的硅酸盐玻璃层(7)与第一刻蚀溶液(17)接触，选择性地去除硅衬底(3)的仅第一侧(13)上的硅酸盐玻璃层(7)，所述第一刻蚀溶液(17)刻蚀硅酸盐玻璃而基本上不刻蚀硅；以及‑通过使第一侧(13)上的发射极层(5)与第二刻蚀溶液(19)接触来去除硅衬底(3)的第一侧(13)上的发射极层(5)，所述第二刻蚀溶液(19)刻蚀硅并且基本上不刻蚀硅酸盐玻璃。通过在发射极去除过程中用使用诸如不含HNO3和/或不含NOx的HF基的第一刻蚀溶液(17)和使用例如碱性基作为第二刻蚀溶液(19)的两步序列代替常规的基于包含HF和HNO3的刻蚀组合物的单步刻蚀工艺，可具有各种益处。