[发明专利]用于选择性地去除硅衬底的单侧发射极层的方法和湿法工作台

权利要求书

1.一种用于选择性地去除硅衬底(3)的单侧(13)发射极层(5)的方法，其中所述硅衬底(3)在初始时在两个相对侧(13、15)包括发射极层(5)，并且其中所述硅衬底(3)在初始时在两个相对侧(13、15)上包括覆盖发射极层(5)的硅酸盐玻璃层(7)，其中所述方法包括：

-通过将仅仅第一侧(13)的硅酸盐玻璃层(7)与第一刻蚀溶液(17)接触，选择性地去除硅衬底(3)的仅仅第一侧(13)上的硅酸盐玻璃层(7)，所述第一刻蚀溶液(17)刻蚀硅酸盐玻璃并且基本上不刻蚀硅；以及

-通过使第一侧(13)上的发射极层(5)与第二刻蚀溶液(19)接触，去除硅衬底(3)的第一侧(13)上的发射极层(5)，所述第二刻蚀溶液(19)刻蚀硅并且基本上不刻蚀硅酸盐玻璃。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一刻蚀溶液(17)不含任何氧化化学物质。

3.如前述权利要求之一所述的方法，其中所述第一刻蚀溶液(17)不含硝酸。

4.如前述权利要求之一所述的方法，其中所述第一刻蚀溶液(17)包括HF。

5.如前述权利要求之一所述的方法，其中，所述第二刻蚀溶液(19)是碱性基。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述第二刻蚀溶液(19)包含KOH、NaOH及TMAH中的一种作为碱性基。

7.如权利要求5和6之一所述的方法，其中所述第二刻蚀溶液(19)包含0.1％至60％的碱性基。

8.如前述权利要求之一所述的方法，其中以20℃至160℃的温度施加所述第二刻蚀溶液(19)。

9.如前述权利要求之一所述的方法，其中所述第二刻蚀溶液(19)在初始时以0℃至60℃的温度被施加，并随后被加热至40℃至160℃的提高的温度。

10.如前述权利要求之一所述的方法，其中所述第二刻蚀溶液(19)包括添加剂。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述添加剂增加所述第二刻蚀溶液(19)与刻蚀硅酸盐玻璃相比对硅的刻蚀作用的选择性。

12.如权利要求10或11之一所述的方法，其中所述第二刻蚀溶液(19)包含0.1％至30％的添加剂。

13.如前述权利要求之一所述的方法，其中通过使第一侧(13)与辊子(33)接触并通过所述辊子(33)的表皮(35)传输第一刻蚀溶液(17)，将第一刻蚀溶液(17)施加到第一侧上的硅酸盐玻璃层(7)。

14.如前述权利要求之一所述的方法，其中通过将硅衬底(3)完全浸入所述第二刻蚀溶液(19)中，使硅衬底(3)的第一侧(13)上的发射极层(5)与第二刻蚀溶液(19)接触。

15.如权利要求1至13任一所述的方法，其中通过将所述第二刻蚀溶液(19)喷射到硅衬底(3)第一侧上的发射极层(5)上，使硅衬底(3)的第一侧(13)上的发射极层(5)与所述第二刻蚀溶液(19)接触。

16.如权利要求15所述的方法，其中从所述硅衬底(3)的下方向硅衬底(3)朝下的第一侧喷射所述第二刻蚀溶液(19)。