[发明专利]磁传感器及磁传感器的制造方法在审
| 申请号： | 202080082416.6 | 申请日： | 2020-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN114761816A | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 远藤大三;筱龙德;坂胁彰;利根川翔;渡边恭成 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G01R33/02 | 分类号： | G01R33/02;H01L43/00;H01L43/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 磁传感器具备：多个感应元件(31)，所述多个感应元件(31)具有：具有长边方向和短边方向的软磁体层(105)及导电性比软磁体层(105)高且在长边方向上贯穿软磁体层(105)的内部的导电体层，在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，并通过磁阻抗效应来感应磁场；以及连接部(32)，所述连接部(32)与感应元件的导电体层连续地形成并将在短边方向上相邻的感应元件(31)串联连接。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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