[发明专利]磁传感器及磁传感器的制造方法

说明书

磁传感器具备：多个感应元件(31)，所述多个感应元件(31)具有：具有长边方向和短边方向的软磁体层(105)及导电性比软磁体层(105)高且在长边方向上贯穿软磁体层(105)的内部的导电体层，在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，并通过磁阻抗效应来感应磁场；以及连接部(32)，所述连接部(32)与感应元件的导电体层连续地形成并将在短边方向上相邻的感应元件(31)串联连接。

技术领域

本发明涉及磁传感器及磁传感器的制造方法。

背景技术

作为公报记载的现有技术，存在如下磁阻抗效应元件，其具备形成在非磁性基板上的由硬磁体膜构成的薄膜磁铁、覆盖所述薄膜磁铁的上方的绝缘层以及形成在所述绝缘层上的被赋予单轴各向异性的由一个或多个长方形软磁体膜构成的感磁部(参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-249406号公报

发明内容

发明要解决的课题

在使用具有软磁体层的感应元件作为磁阻抗效应元件的磁传感器中，根据感应元件的层叠结构的不同，有时来自磁传感器的输出中的信号(Signal)与噪声(Noise)之比即SN比降低。

本发明的目的在于抑制利用磁阻抗效应的磁传感器的输出中的SN比的降低。

用于解决课题的手段

应用本发明的磁传感器具备：多个感应元件，所述多个感应元件具有：具有长边方向和短边方向的软磁体层、和导电性比该软磁体层高且在该长边方向上贯穿该软磁体层的内部的导电体层，所述多个感应元件在与该长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，并通过磁阻抗效应来感应磁场；以及连接部，所述连接部与所述感应元件的所述导电体层连续地形成，并将在所述短边方向上相邻的该感应元件串联连接。

在此，也可以是，所述感应元件的所述软磁体层中形成有磁畴，所述磁畴具有以所述导电体层为轴并朝向周向的磁化。

另外，也可以是，所述感应元件在所述导电体层与所述软磁体层之间还具备对该导电体层与该软磁体层之间的元素的扩散进行抑制的扩散抑制层。

另外，也可以是，所述连接部包含与所述感应元件的所述导电体层连续的连接导电体层和与该感应元件的所述扩散抑制层连续的连接扩散抑制层。

另外，也可以是，所述感应元件的所述扩散抑制层设置于以所述长边方向为轴的所述导电体层的外周。

并且，从其他观点理解，应用本发明的磁传感器的制造方法中，使用软磁体形成多个具有长边方向和短边方向的长条状的第一软磁体部，使用导电性比所述软磁体高的材料，在各个所述第一软磁体部上同时形成在所述长边方向上延伸的多个导电体部和将相邻的该导电体部连接的连接部，使用所述软磁体以覆盖所述导电体部的方式在各个所述第一软磁体部上形成第二软磁体部。

在此，也可以是，通过连续地形成导电性比所述软磁体高的导电体层和对该导电体层与该软磁体之间的元素的扩散进行抑制的扩散抑制层，从而形成所述导电体部及所述连接部。

发明的效果

根据本发明，能够抑制利用磁阻抗效应的磁传感器的输出中的SN比的降低。

附图说明

图1的(a)～(b)是说明应用本实施方式的磁传感器的一例的图。

图2的(a)～(b)是说明应用本实施方式的感应部的结构的图。

图3的(a)～(b)是说明应用本实施方式的感应部的结构的图。

图4是说明在磁传感器的感应部中的感应元件的长边方向上施加的磁场与感应部的阻抗之间关系的图。