[发明专利]磁传感器及磁传感器的制造方法

权利要求书

1.磁传感器，其具备：

多个感应元件，所述多个感应元件具有：具有长边方向和短边方向的软磁体层、和导电性比该软磁体层高且在该长边方向上贯穿该软磁体层的内部的导电体层，所述多个感应元件在与该长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，并通过磁阻抗效应来感应磁场；以及

连接部，所述连接部与所述感应元件的所述导电体层连续地形成，并将在所述短边方向上相邻的该感应元件串联连接。

2.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，

所述感应元件的所述软磁体层中形成有磁畴，所述磁畴具有以所述导电体层为轴并朝向周向的磁化。

3.根据权利要求1或2所述的磁传感器，其特征在于，

所述感应元件在所述导电体层与所述软磁体层之间还具备对该导电体层与该软磁体层之间的元素的扩散进行抑制的扩散抑制层。

4.根据权利要求3所述的磁传感器，其特征在于，

所述连接部包含与所述感应元件的所述导电体层连续的连接导电体层和与该感应元件的所述扩散抑制层连续的连接扩散抑制层。

5.根据权利要求3所述的磁传感器，其特征在于，

所述感应元件的所述扩散抑制层设置于以所述长边方向为轴的所述导电体层的外周。

6.磁传感器的制造方法，其中，

使用软磁体形成多个具有长边方向和短边方向的长条状的第一软磁体部，

使用导电性比所述软磁体高的材料，同时形成在各个所述第一软磁体部上在所述长边方向上延伸的多个导电体部、和将相邻的该导电体部连接的连接部，

使用所述软磁体以覆盖所述导电体部的方式在各个所述第一软磁体部上形成第二软磁体部。

7.根据权利要求6所述的磁传感器的制造方法，其特征在于，

通过连续地形成导电性比所述软磁体高的导电体层和对该导电体层与该软磁体之间的元素的扩散进行抑制的扩散抑制层，从而形成所述导电体部及所述连接部。