[发明专利]用于通过功率半导体开关中的饱和检测来进行短路探测的方法和装置在审

专利信息
申请号: 202080060461.1 申请日: 2020-08-13
公开(公告)号: CN114270205A 公开(公告)日: 2022-04-01
发明(设计)人: C·普尔卡利亚;F·福里瑟;D·马泰;D·施维克 申请(专利权)人: 罗伯特·博世有限公司
主分类号: G01R31/52 分类号: G01R31/52
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 梁冰;司昆明
地址: 德国斯*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种用于通过功率半导体开关中的饱和检测来进行短路探测的方法以及一种相应的装置。根据功率半导体开关的供电电压(UVDD)来提供参考电压(Uref)。由所述功率半导体开关的负载路径的电压降(UΔ)与所提供的参考电压(Uref)之差来产生电压差(Udiff)。将所产生的电压差(Udiff)与预先确定的极限电压(Ulim)进行比较。如果所述电压差(Udiff)超过所述极限电压(Ulim),则检测出所述功率半导体开关的负载路径中的短路电流并且在这种情况下断开所述功率半导体开关。
搜索关键词: 用于 通过 功率 半导体 开关 中的 饱和 检测 进行 短路 探测 方法 装置
【主权项】:
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