[发明专利]具有连接区域的光电子半导体器件和制造光电子半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202080039966.X | 申请日： | 2020-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN113906575A | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 塞巴斯蒂安·皮克尔 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;支娜 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种光电子半导体器件(10)，包括第一半导体层堆(111)，所述第一半导体层堆包括第一导电类型的第一半导体层(110)，以及第二导电类型的第二半导体层(120)。光电子半导体器件(10)还具有第一接触元件(125)和第二接触元件(129)。第一半导体层堆(111)和第二半导体层(120)上下相叠地设置。第二半导体层(120)与第二接触元件(129)电连接。第一半导体层堆(111)的第一主表面(112)的一部分邻接于第一接触元件(125)，并且第一半导体层堆(111)的第一主表面(112)的一部分结构化为，使得构成多个突出区域(113)以及连接区域(116)。连接区域(116)邻接于如下区域，在所述区域中第一半导体层堆(111)的第一主表面(112)的一部分邻接于第一接触元件(125)并且连接区域具有横向扩展，所述横向扩展大于突出区域(113)的平均横向扩展的5倍。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 连接 区域 光电子 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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