[发明专利]具有连接区域的光电子半导体器件和制造光电子半导体器件的方法

权利要求书

1.一种光电子半导体器件(10)，包括：

第一半导体层堆(111)，所述第一半导体层堆包括第一导电类型的第一半导体层(110)，以及第二导电类型的第二半导体层(120)，

第一接触元件(125)和第二接触元件(129)，

其中所述第一半导体层堆(111)和所述第二半导体层(120)上下相叠地设置，

所述第二半导体层(120)与所述第二接触元件(129)电连接，并且

其中所述第一半导体层堆(111)的第一主表面(112)的一部分邻接于所述第一接触元件(125)，并且所述第一半导体层堆(111)的所述第一主表面(112)的一部分结构化为，使得构成多个突出区域(113)以及连接区域(116)，其中所述连接区域(116)邻接于如下区域，在所述区域中所述第一半导体层堆(111)的所述第一主表面(112)的一部分邻接于所述第一接触元件(125)，并且所述连接区域具有横向扩展，所述横向扩展大于所述突出区域(113)的平均横向扩展的5倍，

其中所述连接区域(116)中的至少一个连接区域是光发射区域，所述光发射区域未由导电材料覆盖。

2.根据权利要求1所述的光电子半导体器件(10)，

其中所述第一半导体层堆(111)具有至少两个层，并且所述连接区域(116)在所述第一半导体层(110)中构成。

3.根据权利要求1或2所述的光电子半导体器件(10)，

其中所述第一半导体层(110)具有比所述半导体层堆(111)的其他层更高的电导率。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的光电子半导体器件(10)，

其中所述第一接触元件(125)包括导电材料，并且所述第一主表面(112)的结构化的部分的一部分不邻接于所述第一接触元件(125)并且是光发射区域(127)。

5.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(10)，

其中所述连接区域(116)分别从所述第一接触元件(125)起延伸到所述光发射区域(127)中。

6.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(10)，

其中所述第一接触元件(125)环绕所述光发射区域(127)。

7.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(10)，

其中所述连接区域(116)中的至少一个连接区域延伸至所述光发射区域(127)内的如下位置，从所述位置起距所述第一接触元件(125)的最近部分的间距大于所述光发射区域(127)的最小直径的三分之一。

8.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(10)，

其中所述第一半导体层堆(111)的最外部的半导体层(110)在所述光发射区域(127)中被至少部分地移除或打薄。

9.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(10)，

其中所述连接区域(116)的横向扩展沿垂直于延伸方向的方向大于所述突出区域(113)的平均横向扩展。

10.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(10)，

其中所述连接区域(116)中的一个连接区域的结构高度大于所述突出区域(113)的一半的平均横向扩展。

11.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(10)，

其中所述第一半导体层堆(111)包括磷化物半导体层并且最外部的第一半导体层包含磷化物半导体材料。

12.根据权利要求1至10中任一项所述的光电子半导体器件(10)，

其中所述第一半导体层堆(111)的半导体材料包括氮化物或砷化物半导体材料。