[发明专利]带内部馈送指的高功率晶体管有效
申请号: | 202080038823.7 | 申请日: | 2020-04-23 |
公开(公告)号: | CN113892187B | 公开(公告)日: | 2023-09-29 |
发明(设计)人: | F·特朗;Z·莫克提;H·蒋 | 申请(专利权)人: | 沃孚半导体公司 |
主分类号: | H01L29/778 | 分类号: | H01L29/778;H01L23/488;H01L29/78;H01L23/482;H01L23/552;H01L23/66;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/417;H01L29/423 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 张小稳 |
地址: | 美国北*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种晶体管装置,包括在半导体结构上延伸的栅极指和漏极指、耦接到栅极指的栅极接合焊盘以及耦接到漏极指的漏极接合焊盘。栅极接合焊盘在栅极指上延伸和/或漏极接合焊盘在漏极指上延伸。 | ||
搜索关键词: | 内部 馈送 功率 晶体管 | ||
【主权项】:
暂无信息
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