[发明专利]发光器件、发光装置、电子设备及照明装置在审
| 申请号： | 202080036720.7 | 申请日： | 2020-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN113841252A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 濑尾哲史;门间裕史;奥山拓梦;桥本直明;泷田悠介;铃木恒德 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/50 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张桂霞;杨思捷 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种寿命长的发光器件。本发明的一个方式是一种一对电极间包括EL层的发光器件，其中通过作为EL层所包括的空穴注入层及电子传输层使用特定的结构，以自发地变化的方式控制驱动时的载流子平衡而抑制发光器件的初始劣化。另外，此时通过增高EL层所包括的发光层与电子传输层的叠层界面的电子注入势垒，其自发变化的速度变慢，所以可以实现从长期劣化的观点来看很良好的发光器件。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 装置 电子设备 照明 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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