[发明专利]发光器件、发光装置、电子设备及照明装置在审
| 申请号: | 202080036720.7 | 申请日: | 2020-05-07 |
| 公开(公告)号: | CN113841252A | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
| 发明(设计)人: | 濑尾哲史;门间裕史;奥山拓梦;桥本直明;泷田悠介;铃木恒德 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张桂霞;杨思捷 |
| 地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 器件 装置 电子设备 照明 | ||
1.一种发光器件,包括:
阳极与阴极间的EL层,
其中,所述EL层从所述阳极一侧包括空穴注入层、发光层及电子传输层,
所述空穴注入层与所述阳极接触,
所述空穴注入层包括第一物质及第二物质,
所述第一物质对所述第二物质具有电子接收性,
所述第二物质的HOMO能级为-5.7eV以上且-5.4eV以下,
所述发光层包括第三物质及第四物质,所述第四物质为主体材料,
所述电子传输层包括第一电子传输层及第二电子传输层,
所述第一电子传输层与所述发光层接触,
所述第一电子传输层包括第五物质,
所述第二电子传输层包括第六物质,
所述第五物质为电子传输性材料,
所述第六物质为金属、金属盐、金属氧化物或金属配合物,
并且,所述第五物质的LUMO能级比所述第四物质的LUMO能级深且它们之差为0.15eV以上且0.40eV以下。
2.一种发光器件,包括:
阳极与阴极间的EL层,
其中,所述EL层从所述阳极一侧包括空穴注入层、发光层及电子传输层,
所述空穴注入层与所述阳极接触,
所述空穴注入层包括第一物质及第二物质,
所述第一物质对所述第二物质具有电子接收性,
所述第二物质的HOMO能级为-5.7eV以上且-5.4eV以下,
所述发光层包括第三物质及第四物质,所述第四物质为主体材料,
所述电子传输层包括第一电子传输层及第二电子传输层,
所述第一电子传输层与所述发光层接触,
所述第一电子传输层包括第五物质及第六物质,
所述第二电子传输层包括第七物质,
所述第五物质及所述第七物质为电子传输性材料,
所述第六物质为金属、金属盐、金属氧化物或金属配合物,
并且,所述第五物质的LUMO能级比所述第四物质的LUMO能级深且它们之差为0.15eV以上且0.40eV以下。
3.一种发光器件,包括:
阳极与阴极间的EL层,
其中,所述EL层从所述阳极一侧依次包括空穴注入层、发光层及电子传输层,
所述空穴注入层与所述阳极接触,
所述空穴注入层包括第一物质及第二物质,
所述第一物质对所述第二物质具有电子接收性,
所述第二物质的HOMO能级为-5.7eV以上且-5.4eV以下,
所述发光层包括第三物质及第四物质,所述第四物质为主体材料,
所述电子传输层包括第一电子传输层及第二电子传输层,
所述第一电子传输层与所述发光层接触,
所述第一电子传输层包括第五物质及第六物质,
所述第二电子传输层包括第七物质及第八物质,
所述第一电子传输层中的所述第六物质的比例大于所述第二电子传输层中的所述第八物质的比例,
所述第五物质及所述第七物质为电子传输性材料,
所述第六物质及所述第八物质为金属、金属盐、金属氧化物或金属配合物,
并且,所述第五物质的LUMO能级比所述第四物质的LUMO能级深且它们之差为0.15eV以上且0.40eV以下。
4.根据权利要求3所述的发光器件,其中所述第六物质与所述第八物质相同。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的发光器件,其中所述第五物质与所述第七物质相同。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的发光器件,
其中所述第五物质的LUMO能级比所述第四物质的LUMO能级深且它们之差为0.20eV以上且0.40eV以下。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的发光器件,
其中所述第五物质的HOMO能级为-6.0eV以上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





