[发明专利]用于极紫外光刻抗蚀剂改善的原子层蚀刻及选择性沉积处理在审
| 申请号： | 202080032750.0 | 申请日： | 2020-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN113785381A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 游正义;萨曼塔·S·H·坦;杨柳;梁振伟;鲍里斯·沃洛斯基;理查德·怀斯;潘阳;李达;袁格;安德鲁·梁 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/311;H01L21/027;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了用于降低EUV抗蚀剂的粗糙度并改善蚀刻特征的方法和系统。所述方法涉及对EUV抗蚀剂除渣、填充EUV抗蚀剂的凹陷、并用帽盖层保护EUV抗蚀剂。所得的EUV抗蚀剂具有更平滑的特征，并增加对下伏层的选择性，从而改善蚀刻特征的质量。在下伏层的蚀刻后，可去除帽盖层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 紫外 光刻 抗蚀剂 改善 原子 蚀刻 选择性 沉积 处理 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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