[发明专利]使用薄施体箔的LIFT印刷在审
申请号: | 202080032698.9 | 申请日: | 2020-05-04 |
公开(公告)号: | CN113767451A | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | M·阿尔特曼;Z·科特勒;I·佩莱德;O·叶尔马克;S·科恩 | 申请(专利权)人: | 奥宝科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L51/00;H05K3/02 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘媛媛 |
地址: | 以色列*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 印刷设备包含施体供应组合件,其定位具有相对的第一及第二表面以及形成在所述第二表面上的施体膜的透明施体衬底,使得所述施体膜接近受体衬底上的目标区域。光学组合件引导激光辐射的一或多个光束穿过所述施体衬底的所述第一表面并照射所述施体膜,以便诱导材料从所述施体膜喷射到所述受体衬底上。提供用于减轻或补偿激光辐射跨所述施体衬底的区域的反射的变化的构件,以便使跨所述施体衬底的所述区域在所述施体膜中吸收的所述激光辐射的通量等化。 | ||
搜索关键词: | 使用 薄施体箔 lift 印刷 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造