[发明专利]具有沟槽式电容器结构的transmon量子位

摘要

一种量子位，包括基板和第一电容器结构，所述第一电容器结构具有形成在所述基板的表面上的下部和在所述基板的表面上方延伸的至少一个第一凸起部分。该量子位进一步包括第二电容器结构，该第二电容器结构具有形成在该基板的表面上的下部以及在该基板的表面上方延伸的至少一个第二凸起部分。第一电容器结构和第二电容器结构由超导材料形成。该量子位进一步包括在该第一电容器结构与该第二电容器结构之间的结。该结设置在距该基板的表面预定距离处，并且具有与该第一凸起部分接触的第一端和与该第二凸起部分接触的第二端。