[发明专利]量子装置的制作

摘要

在掩模阶段，非晶掩模的第一段被形成在基底的底层上。第一段包括暴露底层的第一组沟槽。在掩模阶段，非晶掩模的第二段被形成在底层上。第二段包括暴露该底层的第二组沟槽。这两个段不重叠。第一组沟槽中的一个沟槽的开口端面向第二组沟槽中的一个沟槽的开口端，但是端被非晶掩模的一部分分离。在半导体生长阶段，通过选择性区域生长，半导体材料被生长在第一组沟槽和第二组沟槽中以在底层上形成纳米线的第一子网络和第二子网络。纳米线的第一子网络和第二子网络被接合以形成单个纳米线网络。