[发明专利]用于三维NAND闪存中的擦除和复位的方法有效
| 申请号： | 202080003886.9 | 申请日： | 2020-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN112639978B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 汤强;王礼维 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/16 | 分类号： | G11C16/16;G11C16/20;G11C16/08 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 刘柳;杨锡劢 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 提出了用于擦除三维(3D)存储器件的存储数据的方法。3D存储器件包括多个存储块，每个存储块具有多个存储串，所述多个存储串具有垂直地堆叠的存储单元。每个存储单元可通过字线和位线来寻址。可以通过在阵列公共源上施加擦除电压并在选定的存储块的字线上施加第一电压来擦除选定的存储块中的存储数据。在擦除操作期间，未选定的存储块的字线是浮动的，即没有外部偏置。在擦除操作之后，在整个存储器平面的字线上施加第二电压来复位存储单元以改进数据保持。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 三维 nand 闪存 中的 擦除 复位 方法 | ||
【主权项】：
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