[发明专利]隔栅中的等离子体后气体注入在审
| 申请号： | 202080003858.7 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN112352302A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | W·曾;C·闫;D·V·德塞;仲華;杨晓晅;P·伦贝西斯;瑞安·M·帕库尔斯基;马丁·L·朱克 | 申请（专利权）人： | 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 郗名悦;闫茂娟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置包括等离子体腔室和处理腔室。所述处理腔室包括可操作以支撑基材的基材支架。所述等离子体处理装置进一步包括将所述等离子体腔室与所述处理腔室分开的隔栅。所述隔栅包括气体输送系统。所述气体输送系统限定了通道、入口以及经由所述通道与所述入口处于流体连通的多个出口。该气体输送系统被配置成用于减少与在该基材上执行的处理工艺相关联的不均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 隔栅 中的 等离子体 气体 注入 | ||
【主权项】：
暂无信息
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