[发明专利]隔栅中的等离子体后气体注入

说明书

提供一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置包括等离子体腔室和处理腔室。所述处理腔室包括可操作以支撑基材的基材支架。所述等离子体处理装置进一步包括将所述等离子体腔室与所述处理腔室分开的隔栅。所述隔栅包括气体输送系统。所述气体输送系统限定了通道、入口以及经由所述通道与所述入口处于流体连通的多个出口。该气体输送系统被配置成用于减少与在该基材上执行的处理工艺相关联的不均匀性。

相关申请的交叉引用

本申请基于并要求申请日为2019年1月25日，标题为“隔栅中的等离子体后气体注入(Post Plasma Gas Injection in a Separation Grid)”的美国临时申请号为62/796,746的优先权，其通过引用合并于此。本申请还基于并要求申请日为2019年6月14日，标题为“隔栅中的等离子体后气体注入(Post Plasma Gas Injection in a Separation Grid)”的美国临时申请号为62/861,423的优先权，其通过引用合并于此。

技术领域

本公开总体上涉及一种等离子体处理装置，并且更具体地涉及在该等离子体处理装置的隔栅中的等离子体后气体注入。

背景技术

等离子体处理广泛用于半导体工业中，用于沉积、刻蚀、抗蚀剂去除以及半导体晶片和其它工件的相关处理。等离子体源(例如，微波、ECR、感应电等)通常用于等离子体处理以产生用于处理工件的高密度等离子体和反应性物质。等离子体处理装置可以用于去胶处理，诸如光刻胶去除。等离子体去胶工具可以包括产生等离子体的等离子体腔室和处理工件的单独的处理腔室。该处理腔室可以是该等离子体腔室的“下游”，使得该工件不直接暴露于该等离子体。隔栅可用于将处理腔室与等离子体腔室分离。隔栅可以对中性粒子是透明的，但对来自等离子体的带电粒子是不透明的。该隔栅可以包括一个或多个带有孔的片材。

发明内容

本公开的实施方案的方面和优点将在以下描述中部分地阐述，或者可以从描述中获悉，或者可以通过实施方案的实践获悉。

提供一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置包括等离子体腔室和处理腔室。该处理腔室包括可操作以支撑工件的工件支架。该等离子体处理装置进一步包括将该等离子体腔室与该处理腔室分开的隔栅。该隔栅包括气体输送系统。该气体输送系统限定了通道、入口以及经由该通道与该入口处于流体连通的多个出口。该气体输送系统被配置成用于减少与在该工件上执行的处理工艺相关联的不均匀性。

在另一方面，提供了一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置包括等离子体腔室和处理腔室。该处理腔室包括可操作以支撑基材的基材支架。该等离子体处理装置进一步包括隔栅和多个独立可控制阀。该隔栅将该等离子体腔室与该处理腔室分开。该隔栅包括气体输送系统。该气体输送系统限定多个通道、多个入口和多个出口。所述多个入口中的每个入口联接到该多个独立可控制阀中的对应的阀上。此外，其中所述气体输送系统被配置成使得经由所述多个出口离开所述通道的气体减少与在所述基材上执行的处理工艺相关联的不均匀性。

在又一方面，提供一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置包括处理腔室和在该处理腔室中的工件支架。该工件支架是可操作的以支撑第一工件和第二工件。该工件支架包括第一处理站和第二处理站。该第一处理站被配置成用于支撑该第一工件。该第二处理站被配置成用于支撑该第二工件。该等离子体处理装置包括泵端口，该泵端口被配置成用于将气体从该处理腔室中排出。该泵端口位于该工件支架下方。该工件支架限定了位于该第一处理站与该第二处理站之间的开口。该开口提供了将气体从该处理腔室排出到该泵端口的路径。该开口包括多个孔。

参考以下描述和所附权利要求书可更好地理解各种实施方案的这些和其它特征、方面和优点。并入本说明书并构成本说明书的一部分的附图示出了本公开的实施方案，并且与说明书一起用于解释相关原理。

附图说明

在参照附图的说明书中阐述了针对本领域普通技术人员的实施方案的详细讨论，其中：