[发明专利]隔栅中的等离子体后气体注入

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其包括：

等离子体腔室；

处理腔室，其包括可操作以支撑基材的基材支架；

被配置为在所述等离子体腔室中产生等离子体的等离子体源；和

隔栅，其将所述等离子体腔室与所述处理腔室隔开，所述隔栅包括：

气体输送系统，其限定了通道、入口以及经由所述通道与所述入口处与流体连通的多个出口。

其中，所述气体输送系统被配置成用于减少与在所述基材上执行的处理工艺相关联的不均匀性。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述处理工艺包括刻蚀工艺、去胶处理工艺或表面处理工艺。

3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中：

所述入口由所述气体输送系统的第一部分限定；

所述多个出口的第一组出口由所述气体输送系统的所述第一部分限定；且

所述多个出口中的第二组出口由所述气体输送系统的第二部分限定，所述第二部分不同于所述第一部分。

4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其中，包括在所述第一组出口中的每个出口的直径小于包括在所述第二组出口中的每个出口的直径。

5.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其中，包括在所述第一组出口中并且定位在邻近所述入口的出口的直径小于包括在所述第一组出口中的每一个其他出口的直径。

6.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其中，所述出口的直径小于包括在所述第二组出口中的每个出口的直径。

7.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其中，由所述气体输送系统的所述第一部分限定的所述通道的部分比由所述气体输送系统的所述第二部分限定的所述通道的部分窄。

8.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其中，由所述气体输送系统的所述第一部分限定的所述通道的部分比由所述气体输送系统的所述第二部分限定的所述通道的部分宽。

9.如权利要求3所述的等离子体处理装置，进一步包括：

定位位于在所述多个出口中的一个或多个出口上的阻挡材料。

10.如权利要求9所述的等离子体处理装置，其中，所述阻挡材料被定位在由所述气体输送系统的所述第一部分限定的所述第一组出口上方。

11.如权利要求9所述的等离子体处理装置，其中，所述阻挡材料被定位在由所述气体输送系统的所述第二部分限定的所述第二组出口上方。

12.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述气体输送系统包括将所述通道分成第一通道和第二通道的壁。

13.如权利要求12所述的等离子体处理装置，其中，所述壁限定多个开口以提供所述第一通道与所述第二通道之间的流体连通。

14.如权利要求12所述的等离子体处理装置，其中：

所述入口与所述第一通道流体连通；且

所述多个出口与所述第二通道流体连通。

15.一种等离子体处理装置，其包括：

处理腔室；

在所述处理腔室中的工件支架，所述工件支架可操作以在所述处理腔室中支撑第一工件和第二工件，所述工件支架包括第一处理站和第二处理站，所述第一处理站被配置成支撑所述第一工件，所述第二处理站被配置成支撑所述第二工件；

泵端口，其被配置成从所述处理腔室排出气体，所述泵端口位于所述工件支架下方；且

其中所述工件支架包括位于所述第一处理站与所述第二处理站之间的开口，所述开口提供将气体从所述处理腔室排出到所述泵端口的路径，所述开口包括多个孔。