[发明专利]用于减小3D交叉点存储器阵列中的热串扰的方法在审
申请号: | 202080002909.4 | 申请日: | 2020-10-10 |
公开(公告)号: | CN112470283A | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | 刘峻 | 申请(专利权)人: | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24;H01L45/00 |
代理公司: | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人: | 张文锦;刘茹 |
地址: | 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 描述了能够通过使用层压材料来减少存储单元的三维阵列中的单元之间的热串扰量的系统、方法和装置,层压材料进而允许存储单元的较小缩放制造。在所公开的方法、系统和装置中,使用牺牲材料来填充毗邻存储单元之间的间隙,并且稍后移除该牺牲材料以形成气隙。这些气隙对于减小毗邻单元之间的热串扰是非常高效的。它允许在来自毗邻单元编程的热效应的影响较小的情况下缩放至较小的存储单元和间距。另外,它减小了毗邻3D交叉点存储单元之间的热串扰,在单元制造期间具有良好的机械支持,并改善了3D交叉点存储器的缩放能力。 | ||
搜索关键词: | 用于 减小 交叉点 存储器 阵列 中的 热串扰 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江先进存储产业创新中心有限责任公司,未经长江先进存储产业创新中心有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202080002909.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的