[发明专利]用于3D相变存储单元以改善编程并增大阵列尺寸的新替换位线和字线方案在审
| 申请号： | 202080002003.2 | 申请日： | 2020-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN112106136A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C5/06 | 分类号： | G11C5/06;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址： | 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了具有新的替换位线和字线方案的三维存储器架构。在2堆叠层阵列中，顶部字线(WL)用低电阻率铜以自对准方案形成，而底部位线(BL)用铜镶嵌工艺形成。相对于使用钨WL和BL而言，由于铜的较低电阻率，跨阵列的电压减小至约1/4。在4堆叠层阵列中，中间WL和顶部BL都用低电阻率的铜以自对准方案形成，而底部BL用铜镶嵌工艺形成。WL和BL形成为自对准的替换金属互连。由于能够使用较薄的钨层或完全消除钨，单元堆叠层高度和深宽比被有效减小。子阵列或瓦片尺寸相应增大，以提高阵列效率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 相变 存储 单元 改善 编程 增大 阵列 尺寸 替换 方案 | ||
【主权项】：
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