[发明专利]存储器件及其形成方法有效
| 申请号： | 202080001180.9 | 申请日： | 2020-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN111819691B | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 孙中旺;张中;刘磊;周文犀;夏志良 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 刘健;张殿慧 |
| 地址： | 430223 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 存储器件包括底部选择栅(BSG)结构。在衬底上穿过BSG结构垂直形成切缝。在BSG结构上形成单元‑层结构。栅极线狭缝垂直穿过单元‑层结构和BSG结构形成至衬底中，并且沿第一横向方向布置以区分指状区域。栅极线狭缝包括在第一指状区域与第二指状区域之间的第一栅极线狭缝，第一栅极线狭缝包括栅极线子狭缝。切缝包括第一切缝，第一切缝形成于第二指状区域中并连接到栅极线子狭缝，以在第二指状区域的第一部分中限定BSG。第二指状区域的第一部分中的BSG通过一个栅极线子狭缝和相邻栅极线子狭缝之间的居间部分电连接到在第一指状区域中的单元串。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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