[发明专利]三维NAND存储器件及其形成方法有效
| 申请号： | 202080001107.1 | 申请日： | 2020-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN111758162B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 张中;孙中旺;周文犀;夏志良 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址： | 430223 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在制造半导体器件的方法中，形成初始堆叠体。初始堆叠体由交替设置在衬底之上的牺牲层和绝缘层形成，并且包括依次设置的第一连接区、第一阵列区和第二连接区。第一初始阶梯形成在第一连接区中并且形成在第一组牺牲层和绝缘层中。第一顶部选择栅阶梯形成在第二连接区中，并且形成在第二组牺牲层和绝缘层中。随后在第一连接区中执行蚀刻工艺，以使第一初始阶梯沿垂直于衬底的垂直方向朝衬底移动，从而形成第一底部选择栅阶梯。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 nand 存储 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
