[发明专利]三维存储器件及其制造方法

摘要

提供了三维(3D)存储器件和用于形成该3D存储器件的方法的实施例。在示例中，3D存储器件包括在衬底上方延伸的多个导体层、垂直地延伸穿过导体层到衬底的沟道结构、以及延伸穿过导体层到衬底的源极结构。沟道结构可以包括阻挡层，该阻挡层具有彼此不连接的多个阻挡部分。每个阻挡部分可以包括(i)在相应的导体层下的垂直阻挡部分、以及(ii)覆盖相应的导体层的相应的横向表面的至少一个横向阻挡部分。沟道结构还可以包括存储层，该存储层具有彼此不连接的多个存储部分，每个存储部分在相应的垂直阻挡部分下并与其接触。