[实用新型]一种SiC肖特基二极管有效
申请号: | 202023159226.6 | 申请日: | 2020-12-24 |
公开(公告)号: | CN213546314U | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 祁晓峰;周晔;魏良 | 申请(专利权)人: | 江苏长弘半导体有限公司 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L23/31;H01L29/872;H01L23/49 |
代理公司: | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 丁博寒 |
地址: | 213000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及电器元件的技术领域,特别是涉及一种SiC肖特基二极管,其根据不同特性进行材料的拆卸与安装,提高可靠性;包括二极管安装架、阳极活动块、阳极金属条、阳极插条、阴极金属条、阴极活动块、阴极插槽以及N‑外延层模块、N型基片模块、N+阴极层模块、握持模块、前端锁紧模块,其中阳极活动块输入端与阳极金属条内端相连接,阳极活动块输出端与阳极插条内端相连接,阴极活动块输出端与阴极金属条内端相连接,阴极活动块输入端与阴极插槽内端相连接,N‑外延层模块、N型基片模块、N+阴极层模块依次电连接安装在二极管安装架内,且按照相应位置分别与阳极插条和阴极插槽安装固定。 | ||
搜索关键词: | 一种 sic 肖特基 二极管 | ||
【主权项】:
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