[实用新型]一种接地环及等离子体刻蚀设备有效
| 申请号： | 202022363574.9 | 申请日： | 2020-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN212848301U | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 王智昊;傅时梁;王伟娜;黄允文;倪图强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 徐雯琼;张静洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种接地环及等离子体刻蚀设备，通过在接地环上设置通孔，连通接地环和基座空隙与真空反应腔的底部空腔，当通过底部空腔抽气时，可以避免空隙中的颗粒污染物向上运动污染基片，而是从通孔直接横向进入空腔进而排出，同时在基座边沿处的气体遮挡环可以进一步阻止在空隙中的颗粒污染物向上运动，提高基片刻蚀的良率，此外，接地环上的通孔面积还保证了真空反应腔内部RF回路的稳定导通，保证内部射频电场的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接地 等离子体 刻蚀 设备 | ||
【主权项】：
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