[实用新型]一种抗磁场干扰的铁磁性存储器有效
| 申请号： | 202022285693.7 | 申请日： | 2020-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN212934663U | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李洪伟 | 申请（专利权）人： | 遵义师范学院 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/02;H01L23/552;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京栈桥知识产权代理事务所(普通合伙) 11670 | 代理人： | 余柯薇 |
| 地址： | 563006 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及存储抗干扰技术领域，尤其是一种抗磁场干扰的铁磁性存储器，经第一MOF材料层、第二MOF材料层、隧道结之间按照三明治结构设计，再将第一导电漆层、铁磁层、第一MOF材料层、第二MOF材料层、隧道结、第二导电漆层采用三明治结构设计，保障了磁性存储器内交换偏置场的形成，优化磁场翻转效果，同时，利用第一导电漆层、第二导电漆层夹心形成三明治结构，避免了外界磁场对磁性存储器内部的磁场影响，保障了磁性存储器数据存取的稳定性与可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁场 干扰 铁磁性 存储器 | ||
【主权项】：
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