[实用新型]一种用于高纯材料生长的CVD管式炉有效

专利信息
申请号: 202022153709.9 申请日: 2020-09-27
公开(公告)号: CN213295504U 公开(公告)日: 2021-05-28
发明(设计)人: 刘鲁生;姜辛;黄楠;杨兵;翟朝峰;史丹;宋昊哲;于岐;袁子尧;卢志刚;陈滨;周美琪 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44;C23C16/458;C23C16/455
代理公司: 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 代理人: 张志伟
地址: 110016 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 实用新型涉及一种用于高纯材料生长的CVD管式炉,属于真空辅助设备技术领域。该CVD管式炉在加热炉体内沿水平方向穿设有石英管,石英管的两端分别与进气密封法兰、排气密封法兰相连,石英管内设有基片台,基片台上放置基片,与基片平行的上方设有喷头,喷头与基片相对应面上均匀开设喷淋孔,喷头与水平设置的喷淋管一端相连通,喷淋管的另一端穿过进气密封法兰与输气管路的一端相连通,输气管路的另一端反应气源相连通;抽真空管路的一端穿过排气密封法兰与石英管内腔相通,抽真空管路的另一端与真空系统相连通。采用本实用新型在反应前石英管内抽真空后充入反应气体,全程无气体杂质气体,其结构简单,操作简便,价格低廉。
搜索关键词: 一种 用于 高纯 材料 生长 cvd 管式炉
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