[实用新型]高成晶率局部涂层石英坩埚有效

专利信息
申请号: 202022126047.6 申请日: 2020-09-25
公开(公告)号: CN214088739U 公开(公告)日: 2021-08-31
发明(设计)人: 贾建亮;贾建恩;孙丽娜 申请(专利权)人: 廊坊赫尔劳斯太阳能光伏有限公司
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B35/00;C03C17/22
代理公司: 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 代理人: 姚朝权
地址: 065300 河北省廊坊*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 实用新型公开了高成晶率局部涂层石英坩埚,包括石英坩埚;还包括碳酸钡涂层、格挡盘、格挡板固定圈口和硅酸钡涂层;沿所述石英坩埚的内壁设有凸出于所述石英坩埚内壁的所述格挡板固定圈口,所述格挡盘放置固定在所述格挡板固定圈口上;在所述石英坩埚的内壁表面、所述格挡盘的上方涂覆有所述碳酸钡涂层;在所述石英坩埚的内壁表面、所述格挡盘的下方涂覆有所述硅酸钡涂层。本坩埚的反应层厚度均匀且可控,不会出现脱落现象,坩埚使用寿命可延长至180‑200小时,且侵蚀沟明显变浅,掺入多晶硅溶液杂质量大大降低,可提高单晶硅成晶率,满足一炉两棒、一炉三棒的要求,特别适合于规模化推广使用。
搜索关键词: 高成晶率 局部 涂层 石英 坩埚
【主权项】:
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