[实用新型]一种碳化硅晶体生长用坩埚及装置有效
申请号: | 202021994413.3 | 申请日: | 2020-09-11 |
公开(公告)号: | CN213142283U | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 舒天宇;王宗玉;刘圆圆;周敏;黄治成 | 申请(专利权)人: | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
主分类号: | C30B23/00 | 分类号: | C30B23/00;C30B29/36 |
代理公司: | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人: | 冯妙娜 |
地址: | 250118 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种碳化硅晶体生长用坩埚及装置,该坩埚包括:坩埚盖、第一坩埚体、第二坩埚体和连接装置,第一坩埚体和第二坩埚体通过连接装置连接形成内部腔体,连接装置包括多个可转动的隔板;多个隔板转动至多个隔板之间和隔板与腔体之间无空隙,则多个隔板隔断第一坩埚体和第二坩埚体;多个隔板转动至多个隔板之间和/或隔板与腔体之间有空隙,则第一坩埚体通过空隙与第二坩埚体连通。通过隔板隔断第一坩埚体和第二坩埚体,可使得晶体生长前期,第一坩埚体的气氛不能传输至第二坩埚体,多个隔板之间和隔板与腔体内壁之间的空隙,形成气体运输通道,对气氛运输起到导向作用,可有效减少晶体生长的缺陷,提高晶体生长的质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 碳化硅 晶体生长 坩埚 装置 | ||
【主权项】:
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